인피니언테크놀로지스
인피니언테크놀로지스는 새로운 CoolSiC 1200V SiC JFET 제품군으로 SiC(Silicon Carbide) 제품 분야에서의 시장 선도력을 더욱 강화할 수 있게 되었다.
이 혁신적인 제품군은 인피니언이 10년 이상 SiC 기술개발 분야에서 축적한 기술력과 고품질 대량생산에서 쌓아온 역량을 바탕으로 하고 있다.
인피니언테크놀로지스의 고전압 전력 변환 제품 사업부문장인 얀-빌헬름 레이나에르트(Jan-Willem Reynaerts)는 “인피니언은 효율적인 전력 관리를 필요로 하는 시장을 겨냥해서 끊임없이 혁신적인 기술들을 개발해 왔다.
CoolSiC는 매우 혁신적인 기술로 태양광 인버터의 성능을 한 차원 향상시킬 수 있도록 설계되었다. 인피니언의 새로운 SiC JFET 기술은 고객들이 차세대 환경 보호 솔루션을 개발할 수 있도록 한다”고 말했다.
새로운 CoolSiC 1200V SiC JFET 제품은 IGBT와 비교해서 스위칭 손실이 매우 낮아 전반적인 시스템 효율은 떨어뜨리지 않으면서 더욱 높은 스위칭 주파수를 이용할 수 있다. 이는 더 작은 수동 소자들을 이용할 수 있도록 하고, 따라서 전체적인 솔루션 크기와 무게를 줄이고 시스템 비용을 낮출 수 있다. 또는 동일한 인버터 하우징으로 더 높은 출력의 전력 솔루션을 구현할 수 있다.
항상 온(On) 상태인 JFET 기술을 안전하고 편리하게 이용할 수 있도록 하기 위해서 인피니언은 직접 구동(Direct Drive) 기술이라고 하는 개념을 개발했다. 이 기술은 JFET에 외부 저전압 MOSFET과 전용 드라이버 IC를 결합함으로써 안전한 시스템 스타트업 조건을 달성하고 빠르게 제어된 스위칭을 가능하게 한다.
CoolSiC JFET 제품은 모놀리식으로 통합된 바디 다이오드를 특징으로 하며, 외부 SiC 쇼트키 배리어 다이오드와 비슷한 수준의 스위칭 성능을 달성했다. 따라서 최상의 효율, 신뢰성, 안전성, 사용 편의성을 제공한다.
CoolSiC JFET 제품과 드라이버 IC 제품의 샘플을 2012년 2분기부터 공급할 예정이다. OEM 양산 착수는 2013년 상반기로 예정하고 있다.
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