신형 1200V 필드 스톱 IGBT 시리즈는 VCE(SAT)가 1.8V로 전도 손실을 최소화하는데, 이는 이전의 고속 스위칭 NPT IGBT보다 훨씬 낮은 것이다. 이 신형 디바이스의 VCE(SAT) 정격은 현재 시중에 출시돼 있는 1200V 고속 스위칭 IGBT 중에서 가장 낮은 수준이다. 이 시리즈의 모든 디바이스 제품은 고속 스위칭에 최적화된 Co-packed 다이오드를 포함하고 있다.

설계자들은 신형 1200V 필드 스톱 트렌치 IGBT 시리즈로 경쟁 솔루션 대비 더 높은 스위칭 주파수로 디바이스를 가동할 수 있어서, 회로에 필요한 커패시터와 인덕티브 소자의 크기와 비용을 낮출 수 있다. 이를 통해 전력 밀도는 높아지고, 크기와 BOM(Bill of Materials) 비용은 더 낮아진 시스템 설계가 가능한 것이다.

이 IGBT 시리즈는 정격 전류의 4배에 달하는 전류 레벨로 클램프 인덕티브 스위칭(Clamped Inductive Switching)에 대한 100% 테스트를 거침으로써 더 넓은 SOA(Safe Operating Area)를 보장한다.

이들 제품은 이전 세대 제품들이 TO264 패키지였던 것과 비교해서, 더 소형화된 리드 길이 20mm의 TO247 패키지로 15A, 25A, 40A 전류 정격을 제공한다.

1200V 필드 스톱 트렌치 IGBT는 오늘날 시스템 설계에 있어 조우하는 에너지 효율 및 폼팩터 과제들을 해결할 수 있는 선도적인 기술을 제공한다. 이들 애플리케이션들은 고전력 애플리케이션들에서 에너지 효율을 극대화하는 페어차일드의 에너지 효율 전력 아날로그 IC, 전력용 이산 소자, 광전자 솔루션의 일부이다.

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