불안정한 전력에서도 고속 데이터 백업이 가능한 메모리
  • 박규찬 기자
  • 승인 2017.10.25 15:06
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로옴, 1Mbit FeRAM ‘MR45V100A·MR44V100A’ 양산 개시

[Industry News 박규찬 기자] 로옴그룹 라피스 세미컨덕터(LAPIS Semiconductor)는 고속·고빈도의 로그 데이터 취득 및 긴급시의 고속 데이터 백업이 필요한 스마트미터, 계측기기, 의료기기, 금융 단말기용으로 1Mbit 강유전체 메모리(FeRAM) ‘MR45V100A / MR44V100A’를 개발하여, 12월부터 양산 출하를 개시할 예정이다.

저전류 및 고속 복귀 슬립, 스탠바이 모드 [자료=로옴]

‘MR45V100A’는 SPI BUS 제품으로 1.8~3.6V의 넓은 전원전압 범위에서 40MHz의 고속 동작을 실현한다. 이에 따라 대용량 1Mbit시 전력 환경이 불안정한 지역에서 갑작스러운 전압 저하가 발생해도 안정된 고속 동작이 가능해 탑재 장치의 고속 데이터 백업에 의해 신뢰성 향상에 기여한다. ‘MR44V100A’는 I2C주3 BUS 제품으로 속도에 관계없는 애플리케이션에 최적이다.

또한, 모바일기기의 데이터 대용량화에 따른 소비전력 증가를 억제하기 위해 대기모드를 개선함과 동시에 라피스의 FeRAM으로는 처음으로 슬립모드를 탑재했다. 1Mbit FeRAM에서 업계 최소 수준의 스탠바이 전류 10µA(평균)와 슬립 전류 0.1µA(평균)를 각각 실현해 배터리 구동 시간이 중요시되는 결제 단말기 및 데이터 로거 등의 휴대용 단말기 및 모바일기기에도 전개가 가능하다. 

비휘발성 메모리 FeRAM은 EEPROM 및 플래시 메모리 등의 비휘발성 메모리에 비해 고속 데이터 갱신, 고속 리라이트 내성, 저소비전력이라는 특징을 갖고 있다.

한편, 라피스 세미컨덕터는 로옴의 강유전체 메모리 제조 기술과 라피스의 메모리 개발 기술을 융합해 2011년부터 다양한 용량과 인터페이스의 FeRAM을 개발했다. 비휘발성으로 고속 및 고빈도의 데이터 갱신을 필요로 하는 다기능 프린터, 차량용 액세서리, FA 기기 등에 채용돼 왔다.



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