인피니언테크놀로지스, 5세대 1200V thinQ! SiC 쇼트키 다이오드 소개

5세대 SiC 다이오드는 쇼트키 셀 필드에서 pn 접합 일체형 구조에 의해 구현된 새로운 초소형 칩 설계를 사용한다.

이 초소형 칩 설계는 칩 영역당 차동 저항을 줄여준다. 그 결과 최대 부하 조건에서 20kHz로 동작하는 3상 태양광 인버터의 프런트엔드 부스트 스테이지에서 이전 세대에 비해 최대 30%의 다이오드 손실을 줄일 수 있다.

150°C의 접합부 온도에서 일반 순방향 전압은 단 1.7V로, 이전 세대 대비 30% 더 낮아졌다.

이는 1200V SiC 다이오드로는 업계에서 가장 낮은 순방향 전압을 나타낸다. 새로운 SiC 다이오드는 특히 UPS 시스템과 같은 비교적 높은 부하에서 동작하는 애플리케이션에 적합하다. 뿐만 아니라 낮은 스위칭 주파수에서도 시스템 효율이 향상된다.

다이오드 암페어 정격에 따라 현재 정격 전류의 최대 14배 정격을 갖는 서지 전류 성능은 애플리케이션 서지 전류 발생시 견고한 다이오드 동작을 보장한다. 따라서 바이패스 다이오드를 사용할 필요가 없어 복잡성과 시스템 비용을 줄일 수 있다.

SOLAR TODAY 편집국 (st@infothe.com)

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