[인더스트리뉴스 김관모 기자] 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 반도체 공정기술 개발이 완료됨에 따라 조만간 양산체제에 들어갈 것으로 보인다. 삼성전자 이재용 부회장은 1월 2일 화성사업장 내에 있는 반도체연구소를 찾아 3나노 공정기술을 보고 받고 DS부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다. 

삼성전자는 "이 부회장이 새해 첫 경영 행보를 반도체 개발 현장에서 시작한 것은 메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시금 다진 것"이라고 설명했다. 

반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술인 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용한 3나노 반도체는 최근 공정 개발을 완료한 5나노제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있으며, 소비전력을 50% 감소시키면서 성능(처리속도)은 약 30% 향상시킬 수 있다. 

지난해 일본의 '화이트리스트'(전략물자 수출심사 우대국 목록)에서 한국을 제외한 이후 삼성전자를 비롯해 국내 전자업체들의 반도체 수출은 큰 타격을 입었다. 삼성전자 등은 정부와 함께 소재의 국산화 및 수출 다양화 등 대안을 추진하고 있지만 당장 큰 피해를 피하기 어려운 상황. 따라서 이번 삼성전자의 차세대 반도체 개발 성공은 올해 국내 반도체 시장에 반전의 기회가 될 수 있을 것이라는 기대감도 나오고 있다.

이재용 부회장은 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다"며 역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 임직원들에게 당부했다. 또한 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 강조했다.

김관모 기자 다른기사 보기