로옴 ‘SiC 파워 디바이스’, 중국 UAES사 전기자동차용 온도드 차저에 채용

[인더스트리뉴스 정한교 기자] 로옴(ROHM)의 SiC 파워 디바이스(SiC MOSFET(Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET))가 중국 종합 자동차기기 브랜드 United Automotive Electronic Systems Co., Ltd.(이하, UAES)의 전기자동차용 온보드 차저(On Board Charger, 이하 OBC)에 채용됐다.

SiC 파워 디바이스는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 Si(실리콘) 파워 디바이스에 비해 극적인 저손실화를 실현할 수 있는 반도체로서 전기자동차를 비롯해 사회기반 시설, 환경·에너지, 산업기기 분야에서 채용이 추진되고 있다.

대전력(고전압×대전류) 영역에서 SiC MOSFET는 Si-IGBT 대비 스위칭 손실(디바이스의 통전 상태를 전환할 때(스위칭 동작 시), 발생하는 손실)·도통 손실(디바이스에 전류가 흐를 때(ON 상태), 디바이스의 저항 성분으로 인해 발생하는 손실)이 적고, 온도 변화에 강하다는 장점이 있다.

이러한 장점을 통해 전기자동차의 온보드 차저 및 DC/DC 컨버터 등에 채용되는 경우 전력 변환 시의 저손실화, 방열용 부품의 소형화, 고주파 동작에 의한 코일의 소형화 등을 실현해 어플리케이션의 고효율화 및 부품수 삭감·실장 면적 삭감에 기여할 수 있다.

로옴은 2010년에 세계 최초로 SiC MOSFET의 양산을 시작하는 등, SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서 세계 최첨단의 제품 개발을 추진해왔다. 또한, 자동차 분야에서는 2012년에 업계를 선도하며 오토모티브 대응 제품의 제공을 시작, 전기자동차의 급속 충전용 온보드 차저에서 높은 시장 점유율을 보유하고 있으며, 전기자동차의 모터 및 인버터에서의 채용도 가속화되고 있다.

이번에 로옴의 SiC MOSFET가 UAES의 OBC에 채용됨으로써, 기존의 OBC 대비 유닛으로는 1%의 고효율화(효율 95.7% 달성, 기존보다 전력 손실을 약 20% 삭감)에 기여한다. 또한, 이러한 첨단 솔루션을 제공함으로써 UAES로부터 ‘2019년 최우수 기술 진보상’을 수상한 바 있다.

로옴은 앞으로도 SiC 파워 디바이스의 리딩 컴퍼니로서 라인업을 강화함과 동시에, 디바이스 성능을 최대화시킬 수 있는 제어 IC 등 주변 디바이스 및 모듈화 기술을 조합해 차세대 자동차의 기술 혁신에 기여하는 파워 솔루션을 제공해 나갈 계획이다.

한편, 1995년 창업한 UAES는 Robert Bosch와 China United Automotive Electronics Co., Ltd.의 합작회사이다. 엔진 컨트롤 유닛 등 가솔린 자동차용 파워 트레인 사업으로 중국 시장에서 매우 높은 시장 점유율을 보유하고 있다. 2009년 이후에는 메인 인버터를 비롯해 전기자동차용 어플리케이션 개발에도 주력하고 있다.