[인더스트리뉴스 김관모 기자] 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 자동차용 범용 도어 잠금장치 IC인 'L99UDL01'을 출시했다.

자동차용 범용 도어 잠금장치 IC 'L99UDL01' [사진=ST마이크로일렉트로닉스]
자동차용 범용 도어 잠금장치 IC 'L99UDL01' [사진=ST마이크로일렉트로닉스]

ST는 “이번 제품은 6개의 MOSFET 하프-브리지 출력과 2개의 하프-브리지 게이트 드라이버를 비롯해 보호 및 진단 기능을 모두 내장했다”며, “사용자를 상대로 안전성을 높이고, 설계를 간소화하며, 공간을 절감해 준다”고 밝혔다.

L99UDL01은 차체 제어 모듈(BCM: Body-Control Module)을 통해 자동차의 잠금장치를 전자식으로 구동하는 완벽한 중앙집중식 솔루션으로, 다수의 개별 모터 드라이버와 관련 아날로그 및 수동부품들을 대체하면서도 보다 정교한 기능을 제공한다.

이 IC는 사고 발생 시 정상 동작을 중단시키는 독보적인 안전 기능이 통합돼 최초 대응자가 차량에 액세스할 수 있도록 지원한다. PWM 출력 전류 레귤레이션과 과전류, 개방부하, 배터리 단락, 접지 단락을 감지하는 고급 진단 기능 등의 이점도 추가로 제공한다. 또한 부하를 활성화하지 않고도 부하 무결성 검사를 완료할 수 있다.

또한, 6개의 통합 MOSFET 하프-브리지는 독립적으로 연결하거나, 높은 전류 부하를 공유하도록 최대 3개의 하프-브리지를 병렬로 구성, 두 개의 채널로 연결할 수 있다. 출력 MOSFET은 완벽하게 보호되며, 낮은 RDS(ON)을 갖춰 에너지 효율을 높이고 열 관리를 용이하게 해준다. 아울러 주요 파라미터를 조정할 수 있기 때문에 정확한 지속시간, 오프 상태 결함감지, 출력전류의 규모 및 방향 등에서 최적의 성능을 보장한다고 ST는 전했다. 전류 제한도 프로그래밍이 가능해 설계자는 도어 잠금장치 모터에 가해지는 스트레스를 줄여 신뢰성을 높일 수 있다.

2개의 하프-브리지 게이트 드라이버는 설계자가 N-채널 MOSFET 또는 스마트 전력(Smart Power) 디바이스를 선택하고 연결해 추가적인 고전력 부하를 제어하도록 해 유연성을 향상시켜준다. 이 드라이버들은 전력소모를 최소화하는 능동형 재순환 기능을 갖추고 있다. 드레인-소스 전류 모니터링과 오프상태 결함감지 등 외부 전력 디바이스 보호 기능도 내장하고 있다.

뿐만 아니라 L99UDL01은 BCM의 SPI 명령으로 재활성되는 50µA의 대기모드, 전류를 15µA 미만까지 낮추는 슬립모드 등 두 가지 절전 모드를 갖추고 있다.

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