ST마이크로, 전력 설계 간소화하는 G-HEMT 디바이스 대량생산 돌입

[인더스트리뉴스 조창현 기자] 다양한 전자 애플리케이션과 고객을 지원하는 글로벌 반도체기업 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST마이크로)가 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 모드(e-Mode) PowerGaN HEMT 디바이스를 대량생산 한다고 밝혔다.

STPOWER GaN 트랜지스터는 △전원 콘센트(Wall Adapter) △충전기 △조명 시스템 △산업용 전원공급장치 △재생에너지 애플리케이션 △자동차 전기화 등 다양한 애플리케이션에서 향상된 성능을 제공한다고 ST마이크로는 설명했다.

제품군 내 처음 선보이는 ‘SGT120R65AL’ 및 ‘SGT65R65AL’은 PowerFLAT 5x6 HV 표면실장 패키지 기반 650V 노멀오프(Normally-Off) 특성을 가진 산업용 품질 등급 G-HEMT으로 각각 15A, 25A 정격 전류와 25°C에서 75mΩ와 49mΩ 수준 평균 온저항을 제공한다.

특히 3nC 및 5.4nC의 총 게이트 전하와 낮은 기생 커패시턴스로 턴온 및 턴오프시 에너지 손실도 최소화하며 켈빈(Kelvin) 소스 연결을 통해 게이트 구동을 최적화할 수 있다. ST마이크로에 따르면 새로운 GaN 트랜지스터는 전원공급장치와 어댑터 크기 및 무게를 줄여주면서도 더 높은 효율성과 낮은 동작온도를 제공해 제품 수명을 연장하는 것에 도움을 준다.

향후 ST마이크로는 자동차 품질 등급 디바이스를 포함한 새로운 PowerGaN 제품뿐만 아니라 고전력 애플리케이션을 지원하는 PowerFLAT 8x8 DSC 및 LFPAK 12x12 등 전력 패키지 옵션을 추가로 출시할 예정이다.